професор кафедри фізики та інформаційних систем, доктор фізико-математичних наук, професор
e-mail: rpeleshchak@dspu.edu.ua; rpeleshchak@ukr.net
У 2001 році захистив докторську дисертацію на тему “Електрон-деформаційні ефекти в кристалах зі структурними неоднорідностями та у напружених гетеросистемах”. Автор понад 400 наукових та навчально-методичних праць. Під керівництвом Пелещака Р.М. захищено 7 кандидатських дисертацій.
За багаторічну сумлінну працю, високий професіоналізм, вагомий особистий внесок у підготовку висококваліфікованих фахівців та плідну науково-педагогічну діяльність Пелещак Р.М. нагороджений Почесною грамотою Міністерства освіти і науки України (наказ від 14.05.2014 № 191к).
Навчальні дисципліни:
- Нанотехнології в електроніці
- Синергетичні принципи формування наноструктур
Сфера наукових зацікавлень: Вплив деформації на електричні та оптичні властивості наногетеросистем InAs/GaAs, CdTe/ZnTe з квантовими точками; самоузгоджені електрон-деформаційно-дифузійні ефекти в широкозонних напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими нанокластерами; дослідження механізмів пасивації воднем електрично-активних центрів та її впливу на робочі характеристики датчиків радіоактивного випромінювання на основі CdTe.
Участь у наукових проєктах:
- Вплив деформаційних ефектів на електронні та діркові стани квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs (2005 – 2007 рр., номер держреєстрації 0105U001877);
- Формування електронно-діркових переходів у напружених гетеросистемах з самоорганізованими дефектно-деформаційними кластерами (2008 – 2010 рр., номер держреєстрації 0108U000587);
- Теорія струмопереносу через бар’єр Шотткі на основі напружених наногетеросистем арсенід індію – арсенід галію з квантовими точками (2011 – 2013 рр., номер держреєстрації 0111U001019);
- Керування спектром та напрямом випромінювання гетеролазера на квантових точках за допомогою акустичної хвилі (2014 – 2016 рр., номер держреєстрації 0114U002615);
- Вплив акустоелектронної взаємодії на умови формування поверхневої надгратки при лазерному опроміненні GaAs, CdTe (2016 – 2018 рр., номер держреєстрації 0116U004736);
- Формування надгратки адсорбованих атомів у напівпровідниках із структурою цинкової обманки в електричному та механічному полях (2019 – 2021 рр., номер держреєстрації 0119U100667);
- Дослідження баричних властивостей квантових точок
з багатошаровою оболонкою для біомедичних застосувань
з використанням нейромережі (2022р., номер держреєстрації 0122U000871).